2011年4月 7日，日前，德州仪器（TI）日前宣布推出集成FET 的业界最小型、最高效率的降压转换器，可为电信、网络以及其它应用提供高达 25 A 的电流。

25 A，14 V 的TPS56221集成NexFET MOSFET且简单易用，与 SWIFT 开关转换器同步，可在12 V 输入至 1.3 V 输出的高负载条件下，同时实现超过 200W／in3的功率密度以及超过 90％的效率，从而可在 500 kHz 开关频率下提供高达 25 A 的持续输出电流。最新 TPS56121 15 A、14 V 同步开关转换器与其它同类产品相比，不但可在 5 V 输入至 1.2 V 输出下将效率提高 3％，而且还可将开关速度提高 2倍。

TI 电源管理业务部高级副总裁 Sami Kiriaki 指出：“板装电源通常有很多电路，因而需要更高的功率密度与电源效率，尤其是那些在更强电流下工作的系统。这两款新产品既可将我们的 SWIFT 系列产品延伸至更强电流应用的领域，又可帮助我们的客户在功率密度、效率以及热管理方面有所突破，从而为终端设备实现更低的功耗和更高的可靠性。”

TPS56221与 TPS56121采用热增强型 5毫米 x 6毫米 QFN 封装，尺寸比其它分立式解决方案小 30％，仅为 315 mm2。这两款器件是首批集成 TI NexFET 技术的产品，可提高热性能、保护功能、效率以及可靠性。它们不但提供 300kHz、500kHz 以及 1MHz 三种可选频率以实现更高的设计灵活性，而且还支持 4.5 V～14 V 的宽泛输入电压。

TPS56221与 TPS56121的主要特性与优势：

·强电流与高效率：4.5 V～14 V 输入电压时，在 25 A 与15 A 峰值负载电流下，效率可超过 90％；

·小尺寸与更高功率密度：总体解决方案尺寸仅为315 mm2，可将封装最大限度地缩小，同时实现超过 200 W／in3的功率密度；

NexFET 功率块支持多相位 50 A、100 A 及更强电流

除 SWIFT 转换器的强电流性能之外，TI去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率块还可在更强电流下实现高效率的多相位负载点设计。小巧的 5毫米 x 6毫米堆栈型 MOSFET 采用接地引线框架 SON 封装，支持高达 1.5 MHz 的频率，可降低热阻抗并简化布局。CSD86350Q5D在 25 A 电流下效率超过 90％，且还能与 TI 的 TPS40140堆栈控制器相结合，在保持整个负载高效率的同时，支持多相位设计；其电流可扩展至 50 A、100 A 以及更高。

广泛的降压转换器产品系列

TI 可提供业界最广泛的降压转换器，其中包括集成FET 的 DC／DC 转换器、支持外部 MOSFET 的 TPS40K™DC／DC 控制器以及全面集成型电源解决方案，如集成电感器的最新 TPS84620等。

供货情况

TPS56221与 TPS56121采用22引脚 5毫米 x 6毫米 QFN 封装，该封装有一个PowerPad™散热焊盘，易于焊接。样片与评估板将于 3月底面市。